Antimoneto de índio
Antimoneto de índio Alerta sobre risco à saúde | |
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Nome IUPAC | Antimoneto de índio |
Identificadores | |
Número CAS | |
PubChem | |
ChemSpider | |
Número RTECS | NL1105000 |
SMILES |
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Propriedades | |
Fórmula molecular | InSb |
Massa molar | 236,58 g/mol |
Aparência | Cristais metálicos, cinza escuro |
Densidade | 5,775 g·cm-3 |
Ponto de fusão |
527 °C, |
Gap de energia | 0.17 eV |
Mobilidade | 7.7 mC s g-1 (27 °C) |
Condutividade térmica | 180 mW K-1 cm-1 (27 °C) |
Índice de refracção (nD) | 4.0 |
Estrutura | |
Estrutura cristalina | Zincblende |
Grupo de espaço | T2d-F-43m |
Geometria de coordenação |
Tetraedral |
Riscos associados | |
Classificação UE | Danoso (Xn), Danoso ao meio ambiente (N) |
Frases R | R20/22, R51/53 |
Frases S | S61 |
Página de dados suplementares | |
Estrutura e propriedades | n, εr, etc. |
Dados termodinâmicos | Phase behaviour Solid, liquid, gas |
Dados espectrais | UV, IV, RMN, EM |
Exceto onde denotado, os dados referem-se a materiais sob condições normais de temperatura e pressão Referências e avisos gerais sobre esta caixa. Alerta sobre risco à saúde. |
Antimoneto de índio (InSb) é um composto cristalino de índio (In) e antimônio (Sb). É um material semicondutor de pequeno GAP do grupo III-V empregado em detectores infravermelhos, como os utilizados em câmeras termográficas e na astronomia infravermelha, com sensibilidade entre 1–5 µm de comprimento de onda. Cristais de InSb têm sido crescidos por resfriamento lento do material liquefeito há quase sessenta anos.[1]
Propriedades físicas
[editar | editar código-fonte]InSb tem a aparência de pedaços ou particulados de metal cinza-escuro prateados com um brilho vitroso. Quando submetidos a temperaturas acima de 500 °C, ele derrete e se decompõe, liberando vapores de antimônio e óxido de antimônio.
InSb é um semicondutor de GAP pequeno com valores de 0.17 eV a 300 K e 0.23 eV a 80 K. A estrutura cristalina é tipo blenda de zinco com um parâmetro de rede de 0.648 nm.[2]
Detectores de fotodiodo de antimoneto de índio são de natureza fotovoltaica, gerando corrente elétrica quando submetidos a radiação infravermelha. Esses detectores necessitam de calibração periódica, o que resulta em maior complexidade nos sistemas de imagem em que são utilizados. Essa complexidade adicional é compensada quando uma maior sensibilidade é necessária, como em sistemas de imagens térmicas de longa distância. O resfriamento desses sistemas também é necessário pois eles necessitam de temperaturas criogênicas para operarem adequadamente (tipicamente 80 K).[3]
Aplicações
[editar | editar código-fonte]- Detectores térmicos por fotodiodos ou eletromagnetos;
- Sensores de campo magnético por magnetorresistência;
- Transístores mais rápidos.
Referências
[editar | editar código-fonte]- ↑ Avery, D G; Goodwin, D W; Lawson, W D; Moss, T S (1954). «Optical and Photo-Electrical Properties of Indium Antimonide». Proceedings of the Physical Society Section B. 67 (10). 761 páginas. doi:10.1088/0370-1301/67/10/304
- ↑ Properties of Indium Antimonide (InSb)
- ↑ M. G. Beckett "High Resolution Infrared Imaging", PhD thesis, Cambridge University (1995) Chapter 3: Camera